2SK3424. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK3424
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для 2SK3424
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK3424 даташит
2sk3424 2sk3424-zj 2sk3424-zk.pdf
DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3424 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE ORDERING INFORMATION DESCRIPTION The 2SK3424 is N-Channel MOS FET device that features a PART NUMBER PACKAGE low on-state resistance and excellent switching characteristics, 2SK3424 TO-220AB designed for low voltage high current applications such as 2SK3424-ZK TO-263(MP-25ZK) DC/DC con
2sk3424.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
2sk3424.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3424 FEATURES Drain Current I = 48A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 11.5m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno
2sk3424-zj.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK3424-ZJ Features VDS S = 30V ID = 48 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 17m (VGS = 4.5V) Low gate charge Drain Body Diode Gate Gate Protection Source Diode Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20
Другие IGBT... 2SK258H, 2SK259, 2SK260, 2SK260H, 2SK3402, 2SK3402-ZK, 2SK3404, 2SK3405, AON7410, 2SK3431, 2SK3431-S, 2SK3431-Z, 2SK3431-ZJ, 2SK3432, 2SK3432-S, 2SK3432-Z, 2SK3432-ZJ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n



