2SK682. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK682

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO247AD

Аналог (замена) для 2SK682

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK682 даташит

 ..1. Size:141K  hitachi
 2sk682 2sk683.pdf pdf_icon

2SK682

 ..2. Size:236K  inchange semiconductor
 2sk682.pdf pdf_icon

2SK682

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK682 DESCRIPTION Drain Current I =12A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS low on resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable f

 9.1. Size:308K  1
 2sk680a.pdf pdf_icon

2SK682

 9.2. Size:444K  1
 2sk681a.pdf pdf_icon

2SK682

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3433-ZJ, 2SK643, 2SK644, 2SK646, 2SK672, 2SK673, 2SK674, 2SK678, 5N60, 2SK683, 2SK684, 2SK1483C, 2SK1493-Z, 2SK1494-Z, 2SK1495-Z, 2SK1496-Z, 2SK1503