Справочник MOSFET. 2SK682

 

2SK682 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK682
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO247AD
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK682 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  hitachi
 2sk682 2sk683.pdf pdf_icon

2SK682

 ..2. Size:236K  inchange semiconductor
 2sk682.pdf pdf_icon

2SK682

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK682DESCRIPTIONDrain Current I =12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =450V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSlow onresistanceHigh speed switchingLow drive currentNo secondary breakdownSuitable f

 9.1. Size:308K  1
 2sk680a.pdf pdf_icon

2SK682

 9.2. Size:444K  1
 2sk681a.pdf pdf_icon

2SK682

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AONS36316 | IRFR120TR | STP5N62K3 | SI4260 | RQK0608BQDQS | MRF5003 | 4N65KG-T60-K

 

 
Back to Top

 


 
.