2SK2641-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2641-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 35 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK2641-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2641-01 даташит

 ..1. Size:75K  fuji
 2sk2641-01.pdf pdf_icon

2SK2641-01

FUJI POWER MOSFET 2SK2641-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings FAP-2S Series TO-3P Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Equivalent circuit schematic (Tc=

 8.1. Size:32K  fuji
 2sk2646-01.pdf pdf_icon

2SK2641-01

FUJI POWER MOSFET 2SK2646-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings FAP-2S Series TO-220AB Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Equivalent circuit schematic (

 8.2. Size:71K  fuji
 2sk2643-01.pdf pdf_icon

2SK2641-01

FUJI POWER MOSFET 2SK2643-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings FAP-2S Series TO-3P Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Equivalent circuit schematic (Tc=

 8.3. Size:296K  fuji
 2sk2640-01mr.pdf pdf_icon

2SK2641-01

N-channel MOS-FET 2SK2640-01MR FAP-IIS Series 500V 0,9 10A 50W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteri

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1494-Z, 2SK1495-Z, 2SK1496-Z, 2SK1503, 2SK1503-01, 2SK1511, 2SK1512-01, 2SK2639-01, 75N75, 2SK2643-01, 2SK2646-01, 2SK2649-01R, 2SK2652-01, 2SK2653-01R, 2SK2687-01, 2SK2688-01L, 2SK2688-01S