2SK2652-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2652-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK2652-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2652-01 даташит

 ..1. Size:312K  fuji
 2sk2652-01.pdf pdf_icon

2SK2652-01

N-channel MOS-FET 2SK2652-01 FAP-IIS Series 900V 2,5 6A 125W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characterist

 7.1. Size:251K  inchange semiconductor
 2sk2652.pdf pdf_icon

2SK2652-01

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2652 FEATURES Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications.

 8.1. Size:30K  panasonic
 2sk2659.pdf pdf_icon

2SK2652-01

Power F-MOS FETs 2SK2659 2SK2659 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm 5.0 0.1 Features 10.0 0.2 1.0 Avalanche energy capability guaranteed High-speed switching 90 Low ON-resistance No secondary breakdown 1.2 0.1 C1.0 2.25 0.2 Low-voltage drive 0.65 0.1 0.35 0.1 1.05 0.1 Radial taping possible 0.55 0.1 0.55 0.1 Applications Non-contact relay No

 8.2. Size:304K  fuji
 2sk2653-01r.pdf pdf_icon

2SK2652-01

N-channel MOS-FET 2SK2653-01R FAP-IIS Series 900V 2,5 6A 80W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Repetitive Avalanche Rated > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characterist

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1503-01, 2SK1511, 2SK1512-01, 2SK2639-01, 2SK2641-01, 2SK2643-01, 2SK2646-01, 2SK2649-01R, IRF1405, 2SK2653-01R, 2SK2687-01, 2SK2688-01L, 2SK2688-01S, 2SK3434, 2SK3434-S, 2SK3434-Z, 2SK3435-ZJ