Справочник MOSFET. 2SK1379

 

2SK1379 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK1379
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для 2SK1379

 

 

2SK1379 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  no
 2sk1379.pdf

2SK1379 2SK1379

Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/

 8.1. Size:150K  sanyo
 2sk1375.pdf

2SK1379 2SK1379

 8.2. Size:33K  panasonic
 2sk1374.pdf

2SK1379 2SK1379

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK13742SK1374Silicon N-Channel MOSUnit : mmFor switching2.1 0.10.425 1.25 0.1 0.425 Features High-speed switching1 Wide frequency band Gate-protection diode built-in 3 2.5V drive possible2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)0.2 0.1Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source voltage V 50 VDS1 : GateGate-Source voltage

 8.3. Size:41K  no
 2sk1378.pdf

2SK1379

 8.4. Size:56K  inchange semiconductor
 2sk1377.pdf

2SK1379 2SK1379

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1377 DESCRIPTION Drain Current ID=5.5A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=400V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 400 V

 8.5. Size:200K  inchange semiconductor
 2sk1378.pdf

2SK1379 2SK1379

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1378DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drai

 8.6. Size:202K  inchange semiconductor
 2sk1373.pdf

2SK1379 2SK1379

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1373DESCRIPTIONDrain Current I = 12A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =550V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top