2SK2690-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2690-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для 2SK2690-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2690-01 даташит

 ..1. Size:226K  fuji
 2sk2690-01.pdf pdf_icon

2SK2690-01

FUJI POWER MOSFET 2SK2690-01 200511 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FAP-IIIB Series Outline Drawings [mm] TO-3P Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Equivalent circuit schematic Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Drain(

 8.1. Size:418K  toshiba
 2sk2698.pdf pdf_icon

2SK2690-01

2SK2698 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2698 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit mm Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.35 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 11 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10

 8.2. Size:419K  toshiba
 2sk2699.pdf pdf_icon

2SK2690-01

2SK2699 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK2699 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit mm Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.5 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 11 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS

 8.3. Size:281K  fuji
 2sk2691-01r.pdf pdf_icon

2SK2690-01

2SK2691-01R FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FAP-IIIB SERIES Features Outline Drawings High speed switching TO-3PF Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters General purpose power amplifier Maximum ratings and characteristics Absolute maximum ratings (Tc=25 C unless

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1384, 2SK1384R, 2SK1385-01R, 2SK1386-01, 2SK1548-01MR, 2SK1547-01MR, 2SK2624ALS, 2SK2689-01MR, AON6414A, 2SK2691-01R, 2SK2715TL, 2SK2725, 2SK2726, 2SK2727, 2SK2729, 2SK2730, 2SK3468-01