2SK3479. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3479

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для 2SK3479

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3479 даташит

 ..1. Size:289K  inchange semiconductor
 2sk3479.pdf pdf_icon

2SK3479

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3479 FEATURES Drain Current I = 83A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 11m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

 0.1. Size:205K  renesas
 2sk3479-s-z-zj.pdf pdf_icon

2SK3479

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 0.2. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3479-z.pdf pdf_icon

2SK3479

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3479-Z FEATURES Drain Current I = 83A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 11m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 0.3. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3479-zj.pdf pdf_icon

2SK3479

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3479-ZJ FEATURES Drain Current I = 83A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 11m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK2715TL, 2SK2725, 2SK2726, 2SK2727, 2SK2729, 2SK2730, 2SK3468-01, 2SK3474-01, 2SK3878, 2SK3479-S, 2SK3479-Z, 2SK3479-ZJ, 2SK349, 2SK350, 2SK3501-01, 2SK3504-01, 2SK3889-01L