2SK3774-01L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3774-01L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для 2SK3774-01L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3774-01L даташит

 ..1. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3774-01l.pdf pdf_icon

2SK3774-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3774-01L FEATURES Drain Current I = 32A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 300V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.13 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

 0.1. Size:146K  fuji
 2sk3774-01l-s-sj.pdf pdf_icon

2SK3774-01L

2SK3774-01L,S,SJ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406 FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance See to P4 No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristic Absolute maximum ratings (T

 4.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3774-01s.pdf pdf_icon

2SK3774-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3774-01S FEATURES Drain Current I = 32A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 300V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.13 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

 4.2. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3774-01sj.pdf pdf_icon

2SK3774-01L

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3774-01SJ FEATURES Drain Current I = 32A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 300V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.13 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3889-01L, 2SK3889-01S, 2SK3889-01SJ, 2SK3891-01R, 2SK3899-ZK, 2SK3900-ZP, 2SK3901-ZK, 2SK3902-ZK, 5N65, 2SK3774-01S, 2SK3774-01SJ, 2SK903MR, 2SK930, 2SK943, 2SK944, 2SK945, 2SK949M