2SK2857C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK2857C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для 2SK2857C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK2857C даташит
2sk2857c.pdf
Preliminary Data Sheet 2SK2857C R07DS1261EJ0200 Rev.2.00 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Jun 11, 2015 Description The 2SK2857C, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.0 V power source. Features Directly driven by a 4.0 V power source. Low on-state resistance RDS(on)1 = 105 m MAX. (VGS =
2sk2857.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
2sk2857.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2857 1.70 0.1 Features VDS (V) = 60V ID = 4 A 0.42 0.1 RDS(ON) 150m (VGS = 10V) 0.46 0.1 RDS(ON) 220m (VGS = 4V) 1.Gate Drain 2.Drain 3.Source Internal Gate Diode Gate Protection Source Diode Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Sou
2sk2857.pdf
2SK2857 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise no
Другие IGBT... 2SK1954-Z, 2SK1984-01MR, 2SK1985-01MR, 2SK1986-01, 2SK2807-01L, 2SK2807-01S, 2SK2808-01MR, 2SK2809-01MR, IRF9640, 2SK2858, 2SK2880, 2SK2885L, 2SK2885S, 2SK2770-01, 2SK3516-01L, 2SK3516-01S, 2SK3516-01SJ
History: RT3K44M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389




