IRF9Z14S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF9Z14S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRF9Z14S Datasheet (PDF)
irf9z14s.pdf

PD - 9.911AIRF9Z14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9Z14S)VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z14L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.50 Fast SwitchingG P- ChannelID = -6.7A Fully Avalanche RatedSDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achiev
irf9z14spbf irf9z14lpbf.pdf

PD-96014IRF9Z14SPbFIRF9Z14LPbF Lead-Free06/08/05Document Number: 91088 www.vishay.com1IRF9Z14S/LPbFDocument Number: 91088 www.vishay.com2IRF9Z14S/LPbFDocument Number: 91088 www.vishay.com3IRF9Z14S/LPbFDocument Number: 91088 www.vishay.com4IRF9Z14S/LPbFDocument Number: 91088 www.vishay.com5IRF9Z14S/LPbFDocument Number: 91088 www.vishay.com6IR
irf9z14s irf9z14l.pdf

PD - 9.911AIRF9Z14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF9Z14S)VDSS = -60V Low-profile through-hole (IRF9Z14L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.50 Fast SwitchingG P- ChannelID = -6.7A Fully Avalanche RatedSDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achiev
irf9z14spbf sihf9z14l sihf9z14s.pdf

IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 60 Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Surface Mount (IRF9Z14S, SiHF9Z14S)Qg (Max.) (nC) 12 Low-Profile Through-Hole (IRF9Z14L, SiHF9Z14L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.8
Другие MOSFET... IRF9641 , IRF9642 , IRF9643 , IRF9952 , IRF9953 , IRF9Z10 , IRF9Z12 , IRF9Z14 , K4145 , IRF9Z15 , IRF9Z20 , IRF9Z22 , IRF9Z24 , IRF9Z24N , IRF9Z24NL , IRF9Z24NS , IRF9Z24S .
History: IRL3714ZPBF | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | SM2326NSAN | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP
History: IRL3714ZPBF | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | SM2326NSAN | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756