Справочник MOSFET. IRF9Z20

 

IRF9Z20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9Z20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9Z20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  1
 irf9z20 irf9z22.pdf pdf_icon

IRF9Z20

 ..2. Size:1215K  vishay
 irf9z20pbf sihf9z20.pdf pdf_icon

IRF9Z20

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 ..3. Size:1213K  vishay
 irf9z20 sihf9z20.pdf pdf_icon

IRF9Z20

IRF9Z20, SiHF9Z20Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY P-Channel VersatilityVDS (V) - 50Available Compact Plastic PackageRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.28RoHS* Fast SwitchingCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 26 Low Drive CurrentQgs (nC) 6.2 Ease of ParallelingQgd (nC) 8.6 Excellent Temperature Stability Compliant to RoHS Directive 2002/

 8.1. Size:97K  1
 irf9z25.pdf pdf_icon

IRF9Z20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF9643 , IRF9952 , IRF9953 , IRF9Z10 , IRF9Z12 , IRF9Z14 , IRF9Z14S , IRF9Z15 , IRF1407 , IRF9Z22 , IRF9Z24 , IRF9Z24N , IRF9Z24NL , IRF9Z24NS , IRF9Z24S , IRF9Z25 , IRF9Z30 .

History: STK001SF | FQD8P10TM | HUFA76645S3S | IPP65R045C7 | RFD16N06LESM | IRFB4321 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.