2SK3676-01SJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3676-01SJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для 2SK3676-01SJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3676-01SJ даташит

 ..1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3676-01sj.pdf pdf_icon

2SK3676-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01SJ FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and s

 3.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3676-01s.pdf pdf_icon

2SK3676-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01S FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

 4.1. Size:264K  fuji
 2sk3676-01l-01s-01sj.pdf pdf_icon

2SK3676-01SJ

2SK3676-01L,S,SJ 200304 FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings [mm] Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications P4 Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unl

 4.2. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3676-01l.pdf pdf_icon

2SK3676-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3676-01L FEATURES Drain Current I = 6.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.5 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3527-01, 2SK3528-01R, 2SK3529-01, 2SK3531-01, 2SK3539, 2SK3675-01, 2SK3676-01L, 2SK3676-01S, AO3400, 2SK3678-01, 2SK3680-01, 2SK3681-01, 2SK3682-01, 2SK3684-01L, 2SK3684-01S, 2SK3684-01SJ, 2SK3685-01