Справочник MOSFET. 2SK3678-01

 

2SK3678-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3678-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.58 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 2SK3678-01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3678-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  fuji
 2sk3678-01.pdf pdf_icon

2SK3678-01

2SK3678-01200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G Series Outline Drawings [mm]TO-220ABFeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unle

 ..2. Size:290K  inchange semiconductor
 2sk3678-01.pdf pdf_icon

2SK3678-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3678-01FEATURESDrain Current : I = 9.0A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.58(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

 8.1. Size:209K  1
 2sk3670.pdf pdf_icon

2SK3678-01

2SK3670 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK3670 Chopper Regulator and DC-DC Converter Applications Unit: mm 2.5V-Gate Drive Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.0 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.1 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 150 V) Enhancement mode: Vth = 0.5~1.3 V (VDS

 8.2. Size:202K  toshiba
 2sk367.pdf pdf_icon

2SK3678-01

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3528-01R , 2SK3529-01 , 2SK3531-01 , 2SK3539 , 2SK3675-01 , 2SK3676-01L , 2SK3676-01S , 2SK3676-01SJ , AON6414A , 2SK3680-01 , 2SK3681-01 , 2SK3682-01 , 2SK3684-01L , 2SK3684-01S , 2SK3684-01SJ , 2SK3685-01 , 2SK3686-01 .

 

 
Back to Top

 


 
.