Справочник MOSFET. 2SK3686-01

 

2SK3686-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3686-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.57 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3686-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  fuji
2sk3686-01.pdfpdf_icon

2SK3686-01

FUJI POWER MOSFET2SK3686-01200509N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings [mm]FeaturesTO-220ABHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unl

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
2sk3686-01.pdfpdf_icon

2SK3686-01

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3686-01FEATURESDrain Current : I = 16A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.57(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

 8.1. Size:627K  toshiba
2sk368.pdfpdf_icon

2SK3686-01

2SK368 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK368 Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications Unit: mmConstant Current Applications High breakdown voltage: VGDS = -100 V (min) High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -80 V) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitGat

 8.2. Size:262K  fuji
2sk3684-01l-01s-01sj.pdfpdf_icon

2SK3686-01

2SK3684-01L,S,SJ200309FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings [mm]Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof ApplicationsP4 Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FHF730A | BSC032N03SG | SIR880DP | BF964S | BRCS040N02DP | APT6015B2VFRG | NVR1P02

 

 
Back to Top

 


 
.