2SK851 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SK851 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK851 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для 2SK851

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

2SK851 даташит

..1. Size:60K inchange semiconductor
2sk851.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK851 DESCRIPTION Drain Current ID=30A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS=200V(Min) APPLICATIONS Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 200 V

9.1. Size:62K toshiba
2sk856.pdf pdf_icon