Справочник MOSFET. 2SK851

 

2SK851 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK851
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для 2SK851

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK851 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  inchange semiconductor
 2sk851.pdf pdf_icon

2SK851

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK851 DESCRIPTION Drain Current ID=30A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS=200V(Min) APPLICATIONS Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER V Drain-Source Voltage (V =0) 200 V

 9.1. Size:62K  toshiba
 2sk856.pdf pdf_icon

2SK851

 9.2. Size:57K  toshiba
 2sk850.pdf pdf_icon

2SK851

 9.3. Size:121K  nec
 2sk855.pdf pdf_icon

2SK851

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK769 | 2SK880GR | AOB412L | AOD3N50

 

 
Back to Top

 


 
.