2SK868A - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK868A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для 2SK868A
2SK868A технические параметры
2sk868a.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868A DESCRIPTION Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =450V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and rela
2sk868.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK868 DESCRIPTION Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay
Другие MOSFET... 2SK854 , 2SK855 , 2SK856 , 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 12N60 , 2SK869 , 2SK870 , 2SK871 , 2SK3987-01L , 2SK3987-01S , 2SK3987-01SJ , 2SK3988-01 , 2SK3989-01MR .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K | AP90P03K | AP90N04Q | AP90N04K | AP90N04G | AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K
Popular searches
bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904



