2SK870 - описание и поиск аналогов

 

2SK870 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SK870
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK870

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK870 технические параметры

 ..1. Size:223K  inchange semiconductor
 2sk870.pdf pdf_icon

2SK870

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK870 DESCRIPTION Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK870

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK870

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK870

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK856 , 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , IRF1010E , 2SK871 , 2SK3987-01L , 2SK3987-01S , 2SK3987-01SJ , 2SK3988-01 , 2SK3989-01MR , 2SK3990-01L , 2SK3990-01S .

 

 
Back to Top

 


 
.