2SK870 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK870  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SK870

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK870 даташит

 ..1. Size:223K  inchange semiconductor
 2sk870.pdf pdf_icon

2SK870

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK870 DESCRIPTION Drain Current I =20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =500V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay

 9.1. Size:3231K  1
 2sk875.pdf pdf_icon

2SK870

 9.2. Size:3454K  1
 2sk876.pdf pdf_icon

2SK870

 9.3. Size:576K  toshiba
 2sk879.pdf pdf_icon

2SK870

2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit mm High breakdown voltage VGDS = -50 V High input impedance IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k , f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK856, 2SK858, 2SK859, 2SK867, 2SK867A, 2SK868, 2SK868A, 2SK869, IRF1010E, 2SK871, 2SK3987-01L, 2SK3987-01S, 2SK3987-01SJ, 2SK3988-01, 2SK3989-01MR, 2SK3990-01L, 2SK3990-01S