2SK870 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK870
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для 2SK870
2SK870 Datasheet (PDF)
2sk870.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK870DESCRIPTIONDrain Current I =20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay
2sk879.pdf
2SK879 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK879 General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications Unit: mm High breakdown voltage: VGDS = -50 V High input impedance: IGSS = -1.0 nA (max) (VGS = -30 V) Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 k, f = 120 Hz) Small package Absolute Maximum Ratings (Ta =
Другие MOSFET... 2SK856 , 2SK858 , 2SK859 , 2SK867 , 2SK867A , 2SK868 , 2SK868A , 2SK869 , TK10A60D , 2SK871 , 2SK3987-01L , 2SK3987-01S , 2SK3987-01SJ , 2SK3988-01 , 2SK3989-01MR , 2SK3990-01L , 2SK3990-01S .
History: 2SK881
History: 2SK881
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM13T05A | AGM12T12D | AGM12T12C | AGM12T12A | AGM12T08A | AGM12T05F | AGM12T05C | AGM12T05A | AGM12T02LL | AGM12N10MNA | AGM12N10D | AGM12N10AP | AGM12N10A | AGM10N65F | AGM10N15R | AGM1030MA
Popular searches
2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor








