2SK612-Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK612-Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для 2SK612-Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK612-Z даташит

 ..1. Size:110K  nec
 2sk612-z.pdf pdf_icon

2SK612-Z

 9.1. Size:295K  1
 2sk611.pdf pdf_icon

2SK612-Z

 9.2. Size:34K  panasonic
 2sk615.pdf pdf_icon

2SK612-Z

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK615 2SK615 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 Features 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Low ON-resistance RDS(on) High-speed switching Direct drive possible with CMOS, TTL Easy automatic- /manual-insertion due to M type package. Self-fix- 0.85 ing to printed circuits board. 0.55 0.1 0.45 0.05 3 2 1 Absolute Maximu

 9.3. Size:32K  panasonic
 2sk614.pdf pdf_icon

2SK612-Z

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK614 2SK614 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Low ON-resistance RDS(on) High-speed switching Direct drive possible with CMOS, TTL +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 1.27 1.27 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 Source Parameter Symbol Rating Unit 2 Drain 3 Gate Drain-Source voltage VDS 80

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3813-Z, 2SK3814, 2SK3814-Z, 2SK3716, 2SK3716-Z, 2SK1282-Z, 2SK3740-ZK, 2SK3984-ZK, IRF540N, 2SK2890-01MR, 2SK2891-01, 2SK2892-01R, 2SK2893-01, 2SK2894-01R, 2SK2895-01, 2SK2896-01L, 2SK2896-01S