2SK3983-01SJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SK3983-01SJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.4 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для 2SK3983-01SJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3983-01SJ даташит

 ..1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3983-01sj.pdf pdf_icon

2SK3983-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3983-01SJ FEATURES Drain Current I = 2.6A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.4 (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

 3.1. Size:357K  inchange semiconductor
 2sk3983-01s.pdf pdf_icon

2SK3983-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3983-01S FEATURES Drain Current I = 2.6A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.4 (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

 4.1. Size:234K  fuji
 2sk3983-01l-s-sj.pdf pdf_icon

2SK3983-01SJ

2SK3983-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET 200511 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series Outline Drawings [mm] Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) See to P4 Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C

 4.2. Size:283K  inchange semiconductor
 2sk3983-01l.pdf pdf_icon

2SK3983-01SJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3983-01L FEATURES Drain Current I = 2.6A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 900V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 6.4 (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK3930-01L, 2SK3930-01S, 2SK3930-01SJ, 2SK3933-01L, 2SK3933-01S, 2SK3933-01SJ, 2SK3983-01L, 2SK3983-01S, STP80NF70, 2SK3924-01L, 2SK3924-01S, 2SK3924-01SJ, 2SK3921-01L, 2SK3921-01S, 2SK3921-01SJ, 2SK3598-01, 2SK3600-01L