AF1332N - аналоги и даташиты транзистора

 

AF1332N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AF1332N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для AF1332N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF1332N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  anachip
 af1332n.pdf pdf_icon

AF1332N

AF1332NN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = 20V RDS (on) = 600m. ID = 600mA Pin Assignments

 9.1. Size:276K  anachip
 af1333p.pdf pdf_icon

AF1332N

AF1333PP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - Fast Switching Speed with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = -20V RDS (on) = 800m. ID = -550mA Pin Assignments Pin Descrip

Другие MOSFET... 2SK3604-01S , 2SK3604-01SJ , 2SK3605-01 , 2SK3606-01 , 2SK3608-01L , 2SK3608-01S , 2SK3608-01SJ , 2SK3609-01 , IRF520 , AF1333P , 2SK1408 , 2SK1409 , 2SK1410 , 2SK1411 , 2SK1476 , 2SK1477 , 2SK1545 .

History: PSMN2R0-30PL | HM7N60 | FTK6014A | HM7746K | AP9973GM | STP150NF55 | 2SK3608-01SJ

 

 
Back to Top

 


 
.