AF1332N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AF1332N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT323

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AF1332N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AF1332N даташит

 ..1. Size:263K  anachip
 af1332n.pdf pdf_icon

AF1332N

AF1332N N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - 2KV ESD Rating (Per MIL-STD-883D) with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = 20V RDS (on) = 600m . ID = 600mA Pin Assignments

 9.1. Size:276K  anachip
 af1333p.pdf pdf_icon

AF1332N

AF1333P P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Description - Simple Gate Drive The advanced power MOSFET provides the designer - Fast Switching Speed with the best combination of fast switching, low - Small Package Outline (SOT323) on-resistance and cost-effectiveness. Product Summary BVDSS = -20V RDS (on) = 800m . ID = -550mA Pin Assignments Pin Descrip

Другие IGBT... 2SK3604-01S, 2SK3604-01SJ, 2SK3605-01, 2SK3606-01, 2SK3608-01L, 2SK3608-01S, 2SK3608-01SJ, 2SK3609-01, 75N75, AF1333P, 2SK1408, 2SK1409, 2SK1410, 2SK1411, 2SK1476, 2SK1477, 2SK1545