2SK3596-01SJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK3596-01SJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3596-01SJ
2SK3596-01SJ Datasheet (PDF)
2sk3596-01l-s-sj.pdf

2SK3596-01L,S,SJ200304FUJI POWER MOSFETN-CHANNEL SILICON POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesOutline Drawings (mm)FeaturesHigh speed switchingLow on-resistanceNo secondary breadownLow driving powerAvalanche-proofP4ApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unl
2sk3596s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3596SFEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 66m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
2sk3596l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3596LFEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 66m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
Другие MOSFET... 2SK3549-01 , 2SK3550-01R , 2SK3554-01 , 2SK3555-01MR , 2SK3594-01 , 2SK3595-01MR , 2SK3596-01L , 2SK3596-01S , IRFB7545 , 2SK3597-01 , 2SK3610-01 , 2SK3611-01MR , 2SK3612-01L , 2SK3612-01S , 2SK3612-01SJ , 2SK3613-01 , 2SK3644-01 .
History: WMB080N03LG2 | STD5NK52ZD | UTT25P10L-TQ2-T | SJMN380R70D | OSG60R190DTF | NVATS5A112PLZ | HFP30N06
History: WMB080N03LG2 | STD5NK52ZD | UTT25P10L-TQ2-T | SJMN380R70D | OSG60R190DTF | NVATS5A112PLZ | HFP30N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor