2SK3650-01S - описание и поиск аналогов

 

2SK3650-01S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3650-01S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для 2SK3650-01S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3650-01S даташит

 ..1. Size:356K  inchange semiconductor
2sk3650-01s.pdfpdf_icon

2SK3650-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3650-01S FEATURES Drain Current I = 33A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 150V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

 0.1. Size:356K  inchange semiconductor
2sk3650-01sj.pdfpdf_icon

2SK3650-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3650-01SJ FEATURES Drain Current I = 33A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 150V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

 4.1. Size:254K  fuji
2sk3650-01l-s-sj.pdfpdf_icon

2SK3650-01S

2SK3650-01L,S,SJ 200304 FUJI POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings [mm] Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications P4 Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unl

 4.2. Size:283K  inchange semiconductor
2sk3650-01l.pdfpdf_icon

2SK3650-01S

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3650-01L FEATURES Drain Current I = 33A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 150V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

Другие MOSFET... 2SK3644-01 , 2SK3646-01L , 2SK3646-01S , 2SK3646-01SJ , 2SK3647-01 , 2SK3648-01 , 2SK3649-01MR , 2SK3650-01L , IRLZ44N , 2SK3650-01SJ , 2SK3651-01R , 2SK1081-01 , 2SK1082-01 , 2SK1102-01MR , 2SK3882-01 , 2SK3883-01 , 2SK3884-01 .

History: SUM110N06-3M4L | H7N60F | BSC265N10LSFG | MEE4292-G | APT1003RBLL | SVF840MJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.