2SK3872-01SJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SK3872-01SJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 230 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3872-01SJ
2SK3872-01SJ Datasheet (PDF)
2sk3872-01s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3872-01SFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
2sk3872-01l-s-sj.pdf

2SK3872-01L,S,SJN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET200406Outline Drawings (mm)FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistanceSee to P4 No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
2sk3872-01l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3872-01LFEATURESDrain Current : I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 230V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 76m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.
Другие MOSFET... 2SK3981-01 , 2SK3982-01MR , 2SK3985-01 , 2SK3986-01MR , 2SK3870-01 , 2SK3871-01MR , 2SK3872-01L , 2SK3872-01S , 20N50 , 2SK3873-01 , 2SK3874-01R , 2SK3875-01 , 2SK3514-01 , 2SK3532-01MR , 2SK3533-01 , 2SK3535-01 , 2SK3537-01MR .
History: CEB08N8 | HSP0115 | RU5H5R | AP9468GP-HF | PS03P20SA | AP10TN003I | IXZR16N60A
History: CEB08N8 | HSP0115 | RU5H5R | AP9468GP-HF | PS03P20SA | AP10TN003I | IXZR16N60A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218