Справочник MOSFET. 2SK3780-01

 

2SK3780-01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3780-01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 94 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3780-01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  fuji
 2sk3780-01.pdf pdf_icon

2SK3780-01

2SK3780-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeaturesHigh speed switching, Low on-resistanceLow driving power, Avalanche-proofNo secondary breakdownApplicationsSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersMaximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless other

 8.1. Size:110K  nec
 2sk3782.pdf pdf_icon

2SK3780-01

DATA SHEETJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3782N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit: mm) The 2SK3782 is suitable for converter of ECM. 1.2 0.1 +0.10.3 0.05 MAX. 0.33FEATURES High gain 30 to 0.02 -0.5 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k) Low noise 2 1 -109 dB (V

 8.2. Size:112K  nec
 2sk3783.pdf pdf_icon

2SK3780-01

DATA SHEETJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3783N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit: mm) The 2SK3783 is suitable for converter of ECM. 1.0FEATURES High gain -0.5 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k) Low noise -109 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k) Super small

 8.3. Size:102K  fuji
 2sk3781-01r.pdf pdf_icon

2SK3780-01

2SK3781-01RN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406FUJI POWER MOSFETSuper FAP-G SeriesFeatures High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply)Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings(Tc=25C unless o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SK3730-01MR , 2SK3769-01MR , 2SK3770-01MR , 2SK3771-01MR , 2SK3772-01 , 2SK3773-01MR , 2SK3776-01 , 2SK3778-01 , SKD502T , 2SK3781-01R , 2SK3788-01 , 2SK3789-01R , 2SK3753-01R , 2SK727 , 2SK770 , 2SK773 , 2SK774 .

History: NCE70T180F | APM3023NF | SI2308 | SWD062R08E8T | SI7392ADP | QM3004M3 | FQI2N30TU

 

 
Back to Top

 


 
.