2SK3788-01 - описание и поиск аналогов

 

2SK3788-01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3788-01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для 2SK3788-01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3788-01 даташит

 ..1. Size:98K  fuji
2sk3788-01.pdfpdf_icon

2SK3788-01

2SK3788-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406 FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series Features High speed switching, Low on-resistance Low driving power, Avalanche-proof No secondary breakdown Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristic Absolute maximum ratings (Tc=25 C unless other

 8.1. Size:110K  nec
2sk3782.pdfpdf_icon

2SK3788-01

DATA SHEET JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3782 N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The 2SK3782 is suitable for converter of ECM. 1.2 0.1 +0.1 0.3 0.05 MAX. 0.33 FEATURES High gain 3 0 to 0.02 -0.5 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k ) Low noise 2 1 -109 dB (V

 8.2. Size:112K  nec
2sk3783.pdfpdf_icon

2SK3788-01

DATA SHEET JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3783 N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM DESCRIPTION PACKAGE DRAWING (Unit mm) The 2SK3783 is suitable for converter of ECM. 1.0 FEATURES High gain -0.5 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k ) Low noise -109 dB (VDS = 2.0 V, C = 5 pF, RL = 2.2 k ) Super small

 8.3. Size:102K  fuji
2sk3781-01r.pdfpdf_icon

2SK3788-01

2SK3781-01R N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Outline Drawings (mm) 200406 FUJI POWER MOSFET Super FAP-G Series Features High speed switching Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators DC-DC converters UPS (Uninterruptible Power Supply) Maximum ratings and characteristic Absolute maximum ratings (Tc=25 C unless o

Другие MOSFET... 2SK3770-01MR , 2SK3771-01MR , 2SK3772-01 , 2SK3773-01MR , 2SK3776-01 , 2SK3778-01 , 2SK3780-01 , 2SK3781-01R , IRFB31N20D , 2SK3789-01R , 2SK3753-01R , 2SK727 , 2SK770 , 2SK773 , 2SK774 , 2SK791 , 2SK792 .

History: WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.