2SK1205
Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK1205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Id| ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 5
A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
tr ⓘ -
Время нарастания: 235
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200
pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2
Ohm
Тип корпуса:
TO3P
Аналог (замена) для 2SK1205
-
подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK1205
Datasheet (PDF)
8.4. Size:203K inchange semiconductor
2sk1204.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1204DESCRIPTIONDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dra
8.5. Size:61K inchange semiconductor
2sk1200.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1200 DESCRIPTION Drain Current ID= 3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V
8.6. Size:61K inchange semiconductor
2sk1202.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1202 DESCRIPTION Drain Current ID= 5A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V
8.7. Size:203K inchange semiconductor
2sk1201.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1201DESCRIPTIONDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dra
8.8. Size:203K inchange semiconductor
2sk1203.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1203DESCRIPTIONDrain Current I = 6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dra
Другие MOSFET... 2SK1329
, 2SK1330
, 2SK1330A
, 2SK1362
, 2SK1403
, 2SK1201
, 2SK1203
, 2SK1204
, 2SK3878
, 2SK3507
, 2SK3539G0L
, 2SK3541GP
, 2SK3541MGP
, 2SK3541SGP
, 2SK3541T2L
, 2SK3541VGP
, 2SK3546G0L
.
History: AP98T03GP
| HM50P03D
| ZXM64P02X
| BUK457-400B
| 2SK3608-01S
| PPMT20V4E
| PP9C15AK
