2SK3943-ZP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK3943-ZP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3943-ZP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK3943-ZP даташит
2sk3943-zp.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
2sk3943-zp.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3943-ZP FEATURES Drain Current I = 82A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 40V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.5m (Max) @V =10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno
2sk3940.pdf
2SK3940 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOSIII) 2SK3940 Switching Regulator, DC/DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 5.6 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 90 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 75 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to
2sk3947.pdf
2SK3947 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK3947 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.1 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 5.0S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum
Другие MOSFET... 2SK3546J , 2SK3547 , 2SK3557-6-TB-E , 2SK3557-7-TB-E , 2SK3652 , 2SK3659 , 2SK3666-2-TB-E , 2SK3666-3-TB-E , SKD502T , 2SK3715 , 2SK3723 , 2SK3731 , 2SK3738 , 2SK3748-1E , 2SK3755 , 2SK3758 , 2SK1206 .
History: ZXMP10A18KTC | AP4533GEM-HF | IRLS3034-7PPBF
History: ZXMP10A18KTC | AP4533GEM-HF | IRLS3034-7PPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor



