2SK1206. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK1206
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ
- Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ -
Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO3PFM
Аналог (замена) для 2SK1206
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK1206 даташит
8.4. Size:203K inchange semiconductor
2sk1204.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1204 DESCRIPTION Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Dra
8.5. Size:61K inchange semiconductor
2sk1200.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1200 DESCRIPTION Drain Current ID= 3A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V
8.6. Size:61K inchange semiconductor
2sk1202.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1202 DESCRIPTION Drain Current ID= 5A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V
8.7. Size:203K inchange semiconductor
2sk1201.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1201 DESCRIPTION Drain Current I = 4A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Dra
8.8. Size:203K inchange semiconductor
2sk1203.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1203 DESCRIPTION Drain Current I = 6A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 900V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Dra
Другие MOSFET... 2SK3943-ZP
, 2SK3715
, 2SK3723
, 2SK3731
, 2SK3738
, 2SK3748-1E
, 2SK3755
, 2SK3758
, AON6380
, 2SK1213
, 2SK1215F
, 2SK1217
, 2SK1222
, 2SK1224
, 2SK1684
, 2SK1685
, 2SK1686
.
History: 2SK2118
| AP4532GM-HF
