2SK1206
Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK1206
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Id| ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 12
A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
tr ⓘ -
Время нарастания: 85
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 720
pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6
Ohm
Тип корпуса:
TO3PFM
Аналог (замена) для 2SK1206
-
подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK1206
Datasheet (PDF)
8.4. Size:203K inchange semiconductor
2sk1204.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1204DESCRIPTIONDrain Current I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dra
8.5. Size:61K inchange semiconductor
2sk1200.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1200 DESCRIPTION Drain Current ID= 3A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V
8.6. Size:61K inchange semiconductor
2sk1202.pdf 
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1202 DESCRIPTION Drain Current ID= 5A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL VALUE UNIT ARAMETER VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 900 V
8.7. Size:203K inchange semiconductor
2sk1201.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1201DESCRIPTIONDrain Current I = 4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dra
8.8. Size:203K inchange semiconductor
2sk1203.pdf 
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1203DESCRIPTIONDrain Current I = 6A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Dra
Другие MOSFET... 2SK3943-ZP
, 2SK3715
, 2SK3723
, 2SK3731
, 2SK3738
, 2SK3748-1E
, 2SK3755
, 2SK3758
, IRLZ44N
, 2SK1213
, 2SK1215F
, 2SK1217
, 2SK1222
, 2SK1224
, 2SK1684
, 2SK1685
, 2SK1686
.
History: SI1025X
| IRF2804PBF
