Справочник MOSFET. 2N7220

 

2N7220 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7220
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO254
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7220 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:271K  international rectifier
2n7227u.pdfpdf_icon

2N7220

PD-91551DIRFN350JANTX2N7227UJANTXV2N7227UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN350 0.315 14AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry design achieves very low on-state resi

 9.2. Size:220K  international rectifier
2n7221u.pdfpdf_icon

2N7220

PD-91550DIRFN340JANTX2N7221UJANTXV2N7221UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596SURFACE MOUNT(SMD-1) 400V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN340 0.55 10AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-si

 9.3. Size:165K  international rectifier
2n7224u.pdfpdf_icon

2N7220

PD - 91547CIRFN150JANTX2N7224UJANTXV2N7224UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 100V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN150 0.07 34AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.4. Size:180K  international rectifier
2n7228u.pdfpdf_icon

2N7220

PD - 90418CIRFN450JANTX2N7228UJANTXV2N7228UPOWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592SURFACE MOUNT(SMD-1) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFN450 0.415 12AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

Другие MOSFET... 2N7121 , 2N7122 , 2N7123 , 2N7124 , 2N7125 , 2N7126 , 2N7218 , 2N7219 , AON6380 , 2N7221 , 2N7224 , 2N7225 , 2N7227 , 2N7227JV , 2N7227JX , 2N7228 , 2N7228JV .

 

 
Back to Top

 


 
.