2SJ624 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ624
Маркировка: XH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.45 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8.1 nC
Время нарастания (tr): 42 ns
Выходная емкость (Cd): 165 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm
Тип корпуса: SC96
2SJ624 Datasheet (PDF)
2sj620.pdf
2SJ620 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2--MOSV) 2SJ620 Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Unit: mm Motor Drive Applications 4-V gate drive Low drain-source ON resistance: R = 63 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 15 S (typ.) fs Low leakage current: I = -100 A (max) (V = -100 V) DS
2sj628.pdf
Ordering number : ENN72712SJ628P-Channel Silicon MOSFET2SJ628Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsPreliminaryFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2062A 1.8V drive.[2SJ628]4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.0(Bottom view)1 : Gate0.75 2 : Drain3 : SourceSpecificationsSANYO : PCPAbsolute Maximum Ra
2sj625.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
