2SJ292 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ292  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ292

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ292 даташит

 ..1. Size:22K  hitachi
 2sj292.pdf pdf_icon

2SJ292

2SJ292 Silicon P-Channel MOS FET November 1996 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratings Outline TO-220AB 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain (Flange) 3. Source S 2SJ292

 9.1. Size:25K  hitachi
 2sj294.pdf pdf_icon

2SJ292

2SJ294 Silicon P Channel MOS FET Application TO 220FM High speed power switching Features Low on resistance High speed switching 2 Low drive current 1 2 3 4 V gate drive device can be driven from 1 5 V source Suitable for Switching regulator, DC DC 1. Gate converter 2. Drain Avalanche Ratings 3. Source 3 Table 1 Absolute Maximum Ratings (T

 9.2. Size:30K  hitachi
 2sj293.pdf pdf_icon

2SJ292

2SJ293 Silicon P-Channel MOS FET November 1996 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratings Outline TO-220FM D 1 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SJ293 Absolute Ma

 9.3. Size:50K  hitachi
 2sj296l-s.pdf pdf_icon

2SJ292

www.DataSheet4U.com 2SJ296(L), 2SJ296(S) Silicon P-Channel MOS FET November 1996 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratings Outline LDPAK 4 4 1 2 3 1 2 3 D G 1. Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SJ245L, 2SJ245S, 2SJ246L, 2SJ246S, 2SJ279L, 2SJ279S, 2SJ280L, 2SJ280S, 12N60, 2SJ293, 2SJ294, 2SJ295, 2SJ494, 2SJ495, 2SJ498, 2SJ557A, 2SJ472-01L