2SJ296S - аналоги и даташиты транзистора

 

2SJ296S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SJ296S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2SJ296S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ296S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:50K  hitachi
 2sj296l-s.pdf pdf_icon

2SJ296S

www.DataSheet4U.com2SJ296(L), 2SJ296(S)Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineLDPAK44123123DG1. Gate

 9.1. Size:22K  hitachi
 2sj292.pdf pdf_icon

2SJ296S

2SJ292Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineTO-220AB1D231. Gate G2. Drain (Flange) 3. SourceS2SJ292

 9.2. Size:25K  hitachi
 2sj294.pdf pdf_icon

2SJ296S

2SJ294Silicon P Channel MOS FETApplicationTO220FMHigh speed power switchingFeatures Low onresistance High speed switching2 Low drive current123 4 V gate drive device can be driven from15 V source Suitable for Switching regulator, DC DC 1. Gateconverter2. Drain Avalanche Ratings3. Source3Table 1 Absolute Maximum Ratings (T

 9.3. Size:30K  hitachi
 2sj293.pdf pdf_icon

2SJ296S

2SJ293Silicon P-Channel MOS FETNovember 1996ApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratingsOutlineTO-220FMD1231. Gate G2. Drain 3. SourceS2SJ293Absolute Ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ474-01L , 2SJ474-01S , 2SJ234L , 2SJ234S , 2SJ239 , 2SJ240 , 2SJ241 , 2SJ296L , IRF520 , 2SJ297L , 2SJ297S , 2SJ492 , 2SJ302-Z , 2SJ314-01L , 2SJ314-01S , 2SJ324-Z , 2SJ325-Z .

History: 2SJ239 | WM02N08L | 2SK3018S3 | 2SJ241 | MDP1922TH

 

 
Back to Top

 


 
.