2SJ297S - описание и поиск аналогов

 

2SJ297S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SJ297S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для 2SJ297S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ297S даташит

 8.1. Size:23K  hitachi
 2sj297l-s.pdf pdf_icon

2SJ297S

2SJ297(L), 2SJ297(S) Silicon P-Channel MOS FET November 1996 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratings Outline LDPAK 4 4 1 2 3 1 2 3 D G 1. Gate 2. Drain 3. Sourc

 9.1. Size:22K  hitachi
 2sj292.pdf pdf_icon

2SJ297S

2SJ292 Silicon P-Channel MOS FET November 1996 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratings Outline TO-220AB 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain (Flange) 3. Source S 2SJ292

 9.2. Size:25K  hitachi
 2sj294.pdf pdf_icon

2SJ297S

2SJ294 Silicon P Channel MOS FET Application TO 220FM High speed power switching Features Low on resistance High speed switching 2 Low drive current 1 2 3 4 V gate drive device can be driven from 1 5 V source Suitable for Switching regulator, DC DC 1. Gate converter 2. Drain Avalanche Ratings 3. Source 3 Table 1 Absolute Maximum Ratings (T

 9.3. Size:30K  hitachi
 2sj293.pdf pdf_icon

2SJ297S

2SJ293 Silicon P-Channel MOS FET November 1996 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for switching regulator, DC-DC converter Avalanche ratings Outline TO-220FM D 1 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SJ293 Absolute Ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ234L , 2SJ234S , 2SJ239 , 2SJ240 , 2SJ241 , 2SJ296L , 2SJ296S , 2SJ297L , STF13NM60N , 2SJ492 , 2SJ302-Z , 2SJ314-01L , 2SJ314-01S , 2SJ324-Z , 2SJ325-Z , 2SJ326-Z , 2SJ327-Z .

History: SWD4N65DD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.