IRFBL12N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFBL12N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 64(max) nC
Время нарастания (tr): 53 ns
Выходная емкость (Cd): 290 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.45 Ohm
Тип корпуса: SUPERD2PAK
Аналог (замена) для IRFBL12N50A
IRFBL12N50A Datasheet (PDF)
irfbl12n50a.pdf
PD - 91818ASMPS MOSFETIRFBL12N50AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply 500V 0.45 13A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg Results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andSuper-D2PakTMAvalanche V
irfbl10n60a.pdf
PD - 91819CSMPS MOSFETIRFBL10N60AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max ID Switch Mode Power Supply ( SMPS ) Uninterruptable Power Supply 600V 0.61 11A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg results in simpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Cu
irfbl18n50k.pdf
PD- 93928PROVISIONALIRFBL18N50KSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) ID Telecom and Data-Com off-Line SMPS UninterruptIble Power Supply500V 0.25 18ABenefits Low On-Resistance High Speed Switching Low Gate Drive Current Due to ImprovedGate Charge Characteristics Improved Avalanche Ruggedness andDynamic dv/dt, Fully CharacterizedAvalanche Vo
irfbl17n50l.pdf
PD- 93929PROVISIONALIRFBL17N50LSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) ID Telecom and Data-Com off-Line SMPS Motor Control500V 0.28 17A UninterruptIble Power SupplyBenefits Low On-Resistance High Speed Switching Low Gate Drive Current Due to ImprovedGate Charge Characteristics Built in Fast Recovery Diode Improved Avalanche Ruggedness andD
Другие MOSFET... IRFBE30 , IRFBF20 , IRFBF20L , IRFBF20S , IRFBF30 , IRFBG20 , IRFBG30 , IRFBL10N60A , IRF1405 , IRFD014 , IRFD024 , IRFD110 , IRFD120 , IRFD210 , IRFD214 , IRFD220 , IRFD224 .
