Справочник MOSFET. AO6411

 

AO6411 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO6411
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0285 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для AO6411

 

 

AO6411 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  aosemi
 ao6411.pdf

AO6411 AO6411

AO641120V P-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 9.1. Size:448K  1
 ao6414 mc6414.pdf

AO6411 AO6411

FreescaleAO6414/ MC6414N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V3.4 Low thermal impedance 60107 @ VGS = 4.5V3.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAX

 9.2. Size:310K  aosemi
 ao6415.pdf

AO6411 AO6411

AO641520V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20VThe AO6415 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -3.3Avoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS= -10V)

 9.3. Size:1695K  kexin
 ao6415.pdf

AO6411 AO6411

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6415 (KO6415)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features VDS (V) =-20V6 5 4 ID =-3.3A (VGS =-10V) RDS(ON) 82m (VGS =-10V) RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 140m (VGS =-2.5V) 2 31+0.020.15 -0.02 ESD Rating: 2000V HBM+0.01-0.01+0.2-0.1D1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top