AOB9N70L - описание и поиск аналогов

 

AOB9N70L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOB9N70L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 375 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для AOB9N70L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB9N70L даташит

 ..1. Size:403K  aosemi
 aob9n70l.pdf pdf_icon

AOB9N70L

AOT9N70/AOTF9N70/AOB9N70 700V, 9A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 800V@150 The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 9A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 aob9n70l.pdf pdf_icon

AOB9N70L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB9N70L FEATURES Drain Current I =9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =700V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.2 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 7.1. Size:403K  1
 aot9n70 aotf9n70 aob9n70.pdf pdf_icon

AOB9N70L

AOT9N70/AOTF9N70/AOB9N70 700V, 9A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 800V@150 The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 9A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:403K  aosemi
 aot9n70 aotf9n70 aob9n70.pdf pdf_icon

AOB9N70L

AOT9N70/AOTF9N70/AOB9N70 700V, 9A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 800V@150 The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 9A process that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AO6602G , AO6608 , AOB12N65L , AOB2140L , AOB2146L , AOB2502L , AOB2904 , AOB2906 , IRF9540N , AOC2804B , AOC2870 , AOC2874 , AOC3860 , AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 .

History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.