Справочник MOSFET. AOB9N70L

 

AOB9N70L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOB9N70L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 375 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для AOB9N70L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOB9N70L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  aosemi
aob9n70l.pdfpdf_icon

AOB9N70L

AOT9N70/AOTF9N70/AOB9N70700V, 9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS800V@150The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 9Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
aob9n70l.pdfpdf_icon

AOB9N70L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB9N70LFEATURESDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =700V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

 7.1. Size:403K  1
aot9n70 aotf9n70 aob9n70.pdfpdf_icon

AOB9N70L

AOT9N70/AOTF9N70/AOB9N70700V, 9A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary VDS800V@150The AOT9N70 & AOTF9N70 & AOB9N70 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET ID (at VGS=10V) 9Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:255K  inchange semiconductor
aob9n70.pdfpdf_icon

AOB9N70L

isc N-Channel MOSFET Transistor AOB9N70FEATURESDrain Current I =9A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =700V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose a

Другие MOSFET... AO6602G , AO6608 , AOB12N65L , AOB2140L , AOB2146L , AOB2502L , AOB2904 , AOB2906 , IRF1010E , AOC2804B , AOC2870 , AOC2874 , AOC3860 , AOC3862 , AOC3864 , AOC3868 , AOC3870 .

History: RHU003N03FRA | GP1M018A020XX | LSD60R1K4HT | AP70SL380AI | IPD50N10S3L-16 | AO4718 | NVTR0202PL

 

 
Back to Top

 


 
.