Справочник MOSFET. AOD409G

 

AOD409G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOD409G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для AOD409G

 

 

AOD409G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  aosemi
 aod409g.pdf

AOD409G AOD409G

AOD409G60V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -60V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -28A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
 aod409g.pdf

AOD409G AOD409G

isc P-Channel MOSFET Transistor AOD409GFEATURESDrain Current I = -28A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgene

 8.1. Size:383K  aosemi
 aod409.pdf

AOD409G AOD409G

AOD409/AOI40960V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology -60V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -26A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 8.2. Size:237K  aosemi
 aod409 aoi409.pdf

AOD409G AOD409G

AOD409/AOI409P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOD/I409 uses advanced trench technology to VDS (V) = -60Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and low ID = -26A (VGS = -10V)gate resistance. With the excellent thermal resistance RDS(ON)

 8.3. Size:207K  inchange semiconductor
 aod409.pdf

AOD409G AOD409G

INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor AOD409FEATURESWith TO-252( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top