Справочник MOSFET. AOD442G

 

AOD442G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOD442G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для AOD442G

 

 

AOD442G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  aosemi
 aod442g.pdf

AOD442G AOD442G

AOD442G60V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 40A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
 aod442g.pdf

AOD442G AOD442G

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD442GFEATURESDrain Current I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 18m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgenera

 8.1. Size:246K  aosemi
 aod442 aoi442.pdf

AOD442G AOD442G

AOD442/AOI44260V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOD442/AOI442 used advanced trench technology to 60V37Aprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. Those ID (at VGS=10V)devices are suitable for use as a load switch or in PWM

 8.2. Size:246K  aosemi
 aod442.pdf

AOD442G AOD442G

AOD442/AOI44260V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOD442/AOI442 used advanced trench technology to 60V37Aprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. Those ID (at VGS=10V)devices are suitable for use as a load switch or in PWM

 8.3. Size:249K  inchange semiconductor
 aod442.pdf

AOD442G AOD442G

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD442FEATURESDrain Current I = 37A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 20m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgeneral

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top