AOI2610E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOI2610E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO-251A

Аналог (замена) для AOI2610E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI2610E даташит

 ..1. Size:411K  aosemi
aod2610e aoi2610e aoy2610e.pdfpdf_icon

AOI2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:411K  aosemi
aoi2610e.pdfpdf_icon

AOI2610E

AOD2610E/AOI2610E/AOY2610E TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:273K  inchange semiconductor
aoi2610e.pdfpdf_icon

AOI2610E

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI2610E FEATURES Drain Current I = 46A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9.5m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

 7.1. Size:267K  aosemi
aoi2610.pdfpdf_icon

AOI2610E

AOD2610/AOI2610 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOE6930, AOE6932, AOE6936, AOH3254, AOI294A, AOI296A, AOI2606, AOI2610, RFP50N06, AOI2614, AOI66406, AOK60N30L, AOL1404G, AOL1454G, AON2392, AON3414, AON3820