AON6314 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6314

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6EP1

Аналог (замена) для AON6314

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6314 даташит

 ..1. Size:359K  aosemi
 aon6314.pdf pdf_icon

AON6314

AON6314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:261K  aosemi
 aon6312.pdf pdf_icon

AON6314

AON6312 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 130A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:346K  1
 aon6354.pdf pdf_icon

AON6314

AON6354 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:339K  1
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6314

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6232A, AON6262E, AON6264E, AON6266E, AON6268, AON6276, AON6284A, AON6312, AOD4184A, AON6354, AON6358, AON6360, AON6362, AON6366E, AON6368, AON6370, AON6372