Справочник MOSFET. AON6314

 

AON6314 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6314
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6EP1
 

 Аналог (замена) для AON6314

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  aosemi
 aon6314.pdf pdf_icon

AON6314

AON631430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:261K  aosemi
 aon6312.pdf pdf_icon

AON6314

AON631230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 130A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:346K  1
 aon6354.pdf pdf_icon

AON6314

AON635430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:339K  1
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6314

AON638230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6232A , AON6262E , AON6264E , AON6266E , AON6268 , AON6276 , AON6284A , AON6312 , HY1906P , AON6354 , AON6358 , AON6360 , AON6362 , AON6366E , AON6368 , AON6370 , AON6372 .

History: 2SK1244 | 2SK3834 | PPMS8N20V3 | 3N80G-TN3-R | 3SK207 | 12N70G-TF3T-T | 17P10L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.