AON6360 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6360

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6360

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6360 даташит

 ..1. Size:268K  aosemi
 aon6360.pdf pdf_icon

AON6360

AON6360 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS (enhanced MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:459K  aosemi
 aon6362.pdf pdf_icon

AON6360

AON6362 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:265K  aosemi
 aon6368.pdf pdf_icon

AON6360

AON6368 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 52A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:362K  aosemi
 aon6366e.pdf pdf_icon

AON6360

AON6366E 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 34A Optimized for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6266E, AON6268, AON6276, AON6284A, AON6312, AON6314, AON6354, AON6358, IRFP064N, AON6362, AON6366E, AON6368, AON6370, AON6372, AON6380, AON6382, AON6384