AON6372 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6372

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6372

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6372 даташит

 ..1. Size:259K  aosemi
aon6372.pdfpdf_icon

AON6372

AON6372 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 47A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:261K  aosemi
aon6370.pdfpdf_icon

AON6372

AON6370 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 47A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:346K  1
aon6354.pdfpdf_icon

AON6372

AON6354 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:339K  1
aon6382.pdfpdf_icon

AON6372

Другие IGBT... AON6314, AON6354, AON6358, AON6360, AON6362, AON6366E, AON6368, AON6370, IRF740, AON6380, AON6382, AON6384, AON6406, AON6528, AON6548, AON6560, AON6590