AON6384 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6384  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6EP2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AON6384

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6384 даташит

 ..1. Size:344K  aosemi
 aon6384.pdf pdf_icon

AON6384

AON6384 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:339K  1
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6384

 8.2. Size:368K  1
 aon6380.pdf pdf_icon

AON6384

AON6380 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 24A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:339K  aosemi
 aon6382.pdf pdf_icon

AON6384

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6360, AON6362, AON6366E, AON6368, AON6370, AON6372, AON6380, AON6382, IRF1404, AON6406, AON6528, AON6548, AON6560, AON6590, AON6661, AON6667, AON6734