AON6528 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6528

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6528

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6528 даташит

 ..1. Size:358K  aosemi
 aon6528.pdf pdf_icon

AON6528

AON6528 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 30A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:248K  aosemi
 aon6520.pdf pdf_icon

AON6528

AON6520 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AON6520 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge.This device is ID (at VGS=10V) 50A suitable for use as a high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:305K  aosemi
 aon6526.pdf pdf_icon

AON6528

AON6526 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:456K  aosemi
 aon6524.pdf pdf_icon

AON6528

AON6524 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 68A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6366E, AON6368, AON6370, AON6372, AON6380, AON6382, AON6384, AON6406, 50N06, AON6548, AON6560, AON6590, AON6661, AON6667, AON6734, AON6764, AON6792