AON6560 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6560

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00068 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6560

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6560 даташит

 ..1. Size:342K  aosemi
aon6560.pdfpdf_icon

AON6560

AON6560 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:450K  aosemi
aon6566.pdfpdf_icon

AON6560

AON6566 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:282K  1
aon6512.pdfpdf_icon

AON6560

AON6512 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 150A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:204K  1
aon6508.pdfpdf_icon

AON6560

AON6508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AON6370, AON6372, AON6380, AON6382, AON6384, AON6406, AON6528, AON6548, IRFZ44, AON6590, AON6661, AON6667, AON6734, AON6764, AON6792, AON6794, AON6796