AON6734 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6734

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6EP1

Аналог (замена) для AON6734

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6734 даташит

 ..1. Size:354K  aosemi
aon6734.pdfpdf_icon

AON6734

AON6734 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:268K  1
aon6786.pdfpdf_icon

AON6734

AON6786 30V N-Channel MOSFET SRFET TM General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AON6786 uses advanced trench technology ID (at VGS=10V) 85A with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:262K  1
aon6790.pdfpdf_icon

AON6734

AON6790 30V N-Channel MOSFET TM SRFET General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V) with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

 9.3. Size:331K  aosemi
aon6792.pdfpdf_icon

AON6734

AON6792 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AON6384, AON6406, AON6528, AON6548, AON6560, AON6590, AON6661, AON6667, IRFB4110, AON6764, AON6792, AON6794, AON6796, AON6982, AON6984, AON6992, AON6994