AON6998 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AON6998

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6D

Аналог (замена) для AON6998

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6998 даташит

 ..1. Size:350K  aosemi
 aon6998.pdf pdf_icon

AON6998

AON6998 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:490K  aosemi
 aon6996.pdf pdf_icon

AON6998

AON6996 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:353K  aosemi
 aon6992.pdf pdf_icon

AON6998

AON6992 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:349K  aosemi
 aon6994.pdf pdf_icon

AON6998

AON6994 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON6792, AON6794, AON6796, AON6982, AON6984, AON6992, AON6994, AON6996, P55NF06, AON7140, AON7230, AON7232, AON7246E, AON7262E, AON7264E, AON7318, AON7380