Справочник MOSFET. AON6998

 

AON6998 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AON6998
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6D

 Аналог (замена) для AON6998

 

 

AON6998 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  aosemi
 aon6998.pdf

AON6998 AON6998

AON699830V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:490K  aosemi
 aon6996.pdf

AON6998 AON6998

AON699630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:353K  aosemi
 aon6992.pdf

AON6998 AON6998

AON699230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:349K  aosemi
 aon6994.pdf

AON6998 AON6998

AON699430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top