Справочник MOSFET. AON6998

 

AON6998 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6998
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6D
 

 Аналог (замена) для AON6998

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6998 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  aosemi
 aon6998.pdf pdf_icon

AON6998

AON699830V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:490K  aosemi
 aon6996.pdf pdf_icon

AON6998

AON699630V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:353K  aosemi
 aon6992.pdf pdf_icon

AON6998

AON699230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:349K  aosemi
 aon6994.pdf pdf_icon

AON6998

AON699430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Trench Power MOS Technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A 82A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON6792 , AON6794 , AON6796 , AON6982 , AON6984 , AON6992 , AON6994 , AON6996 , IRFB4115 , AON7140 , AON7230 , AON7232 , AON7246E , AON7262E , AON7264E , AON7318 , AON7380 .

History: SUM110P06-07L | SUM110N06-3M4L | STL24N60M2 | MEM2310M3

 

 
Back to Top

 


 
.