AONE36132 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AONE36132
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3AEP2
Аналог (замена) для AONE36132
AONE36132 Datasheet (PDF)
aone36132.pdf

AONE3613225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
aone36182.pdf

AONE3618225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
aone38132.pdf

AONE3813225V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 134A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AON7318 , AON7380 , AON7404G , AON7422G , AON7442 , AON7518 , AON7566 , AON7568 , 8205A , AONE36182 , AONR21307 , AONR21357 , AONR32314 , AONR36366 , AONR36368 , AONR62818 , AONR66406 .
History: 2SK3458 | IXTP4N80 | IXTN120P20T | AP15T15GH | HM3N10MR | AP9475GM | 12P10L-TN3-R
History: 2SK3458 | IXTP4N80 | IXTN120P20T | AP15T15GH | HM3N10MR | AP9475GM | 12P10L-TN3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c