AONE36132 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AONE36132
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3AEP2
Аналог (замена) для AONE36132
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AONE36132 даташит
aone36132.pdf
AONE36132 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
aone36182.pdf
AONE36182 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 17A 34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
aone38132.pdf
AONE38132 25V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 134A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие IGBT... AON7318, AON7380, AON7404G, AON7422G, AON7442, AON7518, AON7566, AON7568, IRFP260, AONE36182, AONR21307, AONR21357, AONR32314, AONR36366, AONR36368, AONR62818, AONR66406
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c



