AONR21307 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AONR21307

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AONR21307

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR21307 даташит

 ..1. Size:314K  aosemi
 aonr21307.pdf pdf_icon

AONR21307

AONR21307 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:789K  aosemi
 aonr21305c.pdf pdf_icon

AONR21307

AONR21305C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21307

AONR21357 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21307

AONR21321 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AON7404G, AON7422G, AON7442, AON7518, AON7566, AON7568, AONE36132, AONE36182, SPP20N60C3, AONR21357, AONR32314, AONR36366, AONR36368, AONR62818, AONR66406, AONS21307, AONS21357