AONR21307 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONR21307 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONR21307
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для AONR21307

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR21307 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  aosemi
 aonr21307.pdf pdf_icon

AONR21307

AONR2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:789K  aosemi
 aonr21305c.pdf pdf_icon

AONR21307

AONR21305C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21307

AONR2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21307

AONR2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7404G , AON7422G , AON7442 , AON7518 , AON7566 , AON7568 , AONE36132 , AONE36182 , IRF9540N , AONR21357 , AONR32314 , AONR36366 , AONR36368 , AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 .

History: 2SK3092D | IRHQ6110 | TPW65R070D | IPA60R125CP | H5N2522LS | YJQ30N03A | 2SK3070S

 

 
Back to Top

 


 
.