AONR21357 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONR21357 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONR21357
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для AONR21357

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONR21357 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  1
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21357

AONR2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 ..2. Size:312K  aosemi
 aonr21357.pdf pdf_icon

AONR21357

AONR2135730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -34A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:318K  1
 aonr21321.pdf pdf_icon

AONR21357

AONR2132130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.2. Size:314K  aosemi
 aonr21307.pdf pdf_icon

AONR21357

AONR2130730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest advanced trench technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -24A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AON7422G , AON7442 , AON7518 , AON7566 , AON7568 , AONE36132 , AONE36182 , AONR21307 , IRF9540N , AONR32314 , AONR36366 , AONR36368 , AONR62818 , AONR66406 , AONS21307 , AONS21357 , AONS32306 .

History: SDF460JEB | 2SK2782 | GP1M008A050XX | TSM3454CX6 | CS3N50DU | GSM3302W | HRP80N08K

 

 
Back to Top

 


 
.